FGA25N120的放大原理是什么？

首先，用指针式万用表鉴别场效应管。

(1)通过测量电阻区分结型场效应晶体管的电极。

根据场效应晶体管PN结正向和反向电阻值不同的现象，可以区分结型场效应晶体管的三个电极。具体方法:将万用表设在R×1k，选择两个电极，分别测量正负电阻值。当两个电极的正负电阻值相等且为几千欧姆时，这两个电极分别为漏极D和源极S。

因为结型场效应晶体管的漏极和源极是可以互换的，所以剩下的电极一定是栅极g，你也可以将万用表的黑色触针(红色触针也可以)随意接触到一个电极，另一个触针依次接触另外两个电极，测量其电阻。当两次测得的电阻值大致相等时，黑色铁笔接触的电极为栅极，另外两个电极分别为漏极和源极。

如果两次测得的电阻值都很大，说明PN结反了，也就是两个电阻都反了，可以判断是N沟道场效应晶体管，黑触针接在栅极上；如果测两次电阻都很小，说明是正向PN结，也就是正向电阻，判断为P沟道场效应晶体管，黑探针也接在栅极上。如果没有出现上述情况，可以更换黑色和红色探针，按照上述方法进行测试，直到识别出网格为止。

(2)通过测量电阻来判断FET的好坏。

电阻测量方法是用万用表测量FET的源极与漏极之间、栅极与源极之间、栅极与漏极之间、栅极G1与栅极G2之间的电阻值，来判断FET说明书上标明的电阻值是否一致。具体方法:首先将万用表放在R×10或R×100档，测量源极S和漏极D之间的电阻，一般在几十欧姆到几千欧姆的范围内(手册上知道不同型号的灯管电阻值不一样)。如果测得的电阻值大于正常值，可能是内部接触不良；如果测得的电阻为无穷大，则可能是内部磁极断裂。

然后将万用表放在R×10k，再测量栅极G1与G2之间、栅极与源极之间、栅极与漏极之间的电阻值。当所有电阻值都为无穷大时，电子管正常。如果上述电阻值测量值太小或通道，管是坏的。需要注意的是，如果管内有两个网格断裂，可以使用元素替代法进行检测。

(3)用感应信号输入的方法估算场效应晶体管的放大能力。

具体方法:用R×100的万用表电阻，将红色表笔接源极S，黑色表笔接漏极D，给FET加一个1.5V的电源电压。此时，触控笔指示的漏极和源极之间的电阻值。然后用手捏住结型场效应晶体管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样由于电子管的放大作用，漏源电压VDS和漏电流Ib都会发生变化，也就是漏源之间的电阻会发生变化，从中可以观察到指针有较大的摆动。如果手捏的栅极针有轻微摆动，说明电子管的放大能力差；手的摆动幅度大，说明电子管的放大能力大；如果手不动，说明管子坏了。

按照上述方法，我们用R×100量程的万用表，测量结型场效应晶体管3DJ2F。首先打开灯管的G极，测量漏源电阻RDS为600ω。用手握住G极后，手向左摆动，指示电阻RDS为12kω，说明电子管好，放大能力大。

使用这种方法时，有几点需要说明:

首先，用手捏场效应晶体管的栅极，万用表指针可能会向右摆动(电阻值减小)或向左摆动(电阻值增大)。这是因为人体感应的交流电压比较高，用电阻档测量，不同场效应晶体管的工作点可能不一样(要么工作在饱和区，要么工作在非饱和区)。测试表明，大部分晶体管的RDS增大，即双手向左摆动；少数管RDS降低，使手向右摆动。但不管表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度大，就说明电子管有较大的放大能力。

其次，这种方法也适用于MOS场效应晶体管。但需要注意的是，MOS FET的输入电阻较高，栅极G的允许感应电压不能太高。所以不要直接用手捏闸门。你必须用它握住螺丝刀的绝缘柄，用金属棒触碰栅极，防止人为感应电荷直接加在栅极上，造成栅极击穿。第三，每次测量后，G-S极之间应该有短路。这是因为G-S结电容会带少量电荷，建立VGS电压，可能导致再次测量时表针不动，只能对G-S电极间的短路放电。

(4)通过测量电阻来判断未标记的场效应晶体管。

首先通过测量电阻找到两个有阻值的管脚，分别是源极S和漏极D，剩下的两个管脚分别是第一栅极G1和第二栅极G2。先记下两个探针测得的源极S和漏极D之间的电阻值，然后调整探针再测一次，记下测得的电阻值。与黑色探针相连的电极为漏电极D；红色手写笔接源S，用这种方法识别的S极和D极也可以通过估算FGA25N120的放大原理来拍摄。