MOS管封装和参数有什么关系，如何选择合适的封装MOS管？

不同封装尺寸的MOS晶体管热阻和功耗不同，需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷，散热器的形状和大小，环境是否密闭等。).基本原则是:在保证功率MOS晶体管温升和系统效率的前提下，选择参数和封装比较常用的功率MOS晶体管。

常见的MOS管封装有:

①插件包:TO-3P，TO-247，TO-220，TO-220F，TO-251，TO-92；②表贴类型:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3 * 3MOS管的极限电流、电压和散热效果会随着封装形式的不同而不同，简单介绍如下。

1、到3P/247

TO247是常用的小尺寸封装，是表贴封装的一种，247是封装标准的序列号。

TO-247封装和TO-3P封装都是3脚输出，里面的裸芯片(即电路图)可以完全一样，所以功能和性能基本相同，最多是散热和稳定性稍微受点影响。To-247一般为非绝缘封装，TO-247的灯管一般用于大功率电源。如果用作开关管，其耐压和电流会更大，这是中高压大电流MOS管常见的封装形式。该产品具有耐压高、抗击穿能力强的特点，适用于120A以上中大电流(电流10A以上，耐压100V以下)和耐压200V以上的场所使用..

2、TO-220/220F

这两种型号的MOS管外形相似，可以互换使用，但TO-220背面有散热片，散热效果比TO-220F好，相对更贵。这两种封装产品适用于120A以下的中压大电流和20A以下的高压大电流..

3、至-251

封装产品主要用于降低成本，缩小产品体积，主要用于60A以下中压大电流，7N以下高压的环境。

4、至-92

这种封装只采用低压MOS晶体管(电流10A以下，耐压60V以下)和高压1N60/65，主要是为了降低成本。

5、至-263

它是TO-220的变种，主要是为了提高生产效率和散热，支持极高的电流和电压。多见于150A以下，30V以上的中压大电流MOS管。

6、至-252

是目前的主流封装之一，适用于7N以下高压和70A以下中压的环境。

STD2NK100Z的参数

技术:Si

安装方式:SMD/SMT

包装/装箱数:TO-252-3

通道数:1个通道

晶体管极性:N沟道

Vds-漏极和源极的击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:1.85a。

Rds导通-漏极-源极导通电阻:8.5欧姆

Vgs th栅极-源极阈值电压:3 V

vgs-栅极-源极电压:10 v。

Qg-栅极电荷:16 nC

最低工作温度:-55摄氏度。

最高工作温度:+150℃

Pd-功耗:70 W

配置:单个

频道模式:增强

商标名称:SuperMESH

包装:切割胶带

封装:鼠标卷轴

包装:卷轴

高度:2.4毫米

长度:6.6毫米

系列:STD2NK100Z

晶体管类型:1 N沟道功率MOSFET

宽度:6.2毫米

商标:意法半导体

正向跨导-最小值:2.4 S

下降时间:32.5纳秒

产品类型:MOSFET

上升时间:6.5 ns

工厂装箱数量:2500个

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41.5ns

典型开启延迟时间:7.2 ns

单个重量:4克