二极管识别问题?

半导体二极管参数的符号及其意义

CT -势垒电容

Cj -结(极间)电容,表示二极管两端在规定偏压下锗探测器二极管的总电容。

Cjv -偏置结电容

共零偏置电容器

Cjo -零偏置结电容

cjo/cjn-结电容变化

Cs -外壳电容或封装电容

Ct -总电容

CTV电压温度系数。测试电流下稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比。

CTC -电容的温度系数

Cvn -标称电容

中频-正向DC电流(正向测试电流)。锗检测二极管在规定的直流电压VF下通过电极之间的电流;硅整流管和硅堆在规定使用条件下允许以正弦半波连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向DC电流;测量齐纳二极管正向电参数时的给定电流

if(av)-正向平均电流

IFM(IM)-正向峰值电流(正向最大电流)。额定功率下二极管允许的最大正向脉冲电流。发光二极管的极限电流。

IH -恒定电流,保持电流。

Ii -发光二极管的辉光电流

IFRM正重复峰值电流

IFSM正向非重复峰值电流(浪涌电流)

Io整流电流。特定线路在特定频率和电压条件下通过的工作电流。

if(ov)-正过载电流

IL -光电流或稳定二极管的极限电流

ID -暗电流

单结晶体管中的IB2基极调制电流

IEM发射极峰值电流

IEB10 -双基单结晶体管中发射极和第一基极之间的反向电流

双基单结晶体管中的IEB20 -发射极电流

ICM -最大平均输出电流

IFMP正向脉冲电流

IP峰值电流

IV -谷点电流

晶闸管控制极的IGT触发电流

IGD -晶闸管控制极不触发电流。

IGFM -控制极正峰值电流

IR(av)-反向平均电流

IR(in)-反向DC电流(反向漏电流)。测量反向特性时,给定的反向电流;具有指定反向电压的正弦半波阻性负载电路中通过硅堆的电流;当反向工作电压VR施加在硅开关二极管上时流过的电流;反向电压下齐纳二极管产生的漏电流;正弦半波最大反向工作电压下整流器的漏电流。

IRM -反向峰值电流

晶闸管反向重复平均电流

IDR -晶闸管关断状态平均重复电流

IRRM反向重复峰值电流

IRSM反向非重复峰值电流(反向浪涌电流)

反向恢复电流

Iz -稳定的电压和电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定反向电流

稳压器的拐点电流

IOM -最大正向(整流)电流。在特定条件下可以承受的最大正向瞬时电流;在带阻性负载的正弦半波整流电路中,允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流。

IZSM -齐纳二极管的浪涌电流

IZM -最大调节电流。齐纳二极管在最大功耗下允许的电流。

IF -正总瞬时电流

IR -反向总瞬时电流

反向恢复电流

Iop -工作电流

Is -稳流二极管稳定电流。

f频率

N -电容变化指数;电容比

Q -卓越价值(品质因数)

δVZ-稳压器的电压漂移

di/dt-通态电流的临界上升速率

dv/dt-通态电压的临界上升速率

耐脉冲燃烧功率。

pft(av)-正向传导的平均耗散功率。

PFTM正峰值耗散功率

PFT -正向传导的总瞬时耗散功率

Pd -耗散功率

PG -平均门功率

PGM -门峰值功率

PC -控制电极的平均功率或集电极消耗的功率。

Pi -输入功率

PK -最大开关功率

PM -额定功率。硅二极管的结温不高于150度所能维持的最大功率。

PMP -最大泄漏脉冲功率

PMS -最大耐受脉冲功率

Po -输出功率

PR -反向浪涌功率

Ptot -总耗散功率

Pomax -最大输出功率

Psc -连续输出功率

PSM -非重复浪涌功率

PZM -最大耗散功率。齐纳二极管在给定使用条件下允许承受的最大功率。

RF(r)-正向微分电阻。正向导通时,随着电压指数的增大,电流呈现明显的非线性特征。在一定的直流电压下,如果电压增加少量△V,正向电流增加△I,那么△V/△I就叫微分电阻。

双基晶体管基极间电阻

射频电阻器

RL -负载电阻

RS(RS)-串联电阻

Rth -热阻

r(th)ja-从结到环境的热阻。

rz(ru)-动态电阻

r(th)JC——从接点到外壳的热阻。

R δ -衰减电阻

r(th)-瞬态电阻

Ta -环境温度

Tc -外壳温度

Td -延迟时间

Tf -下降时间

Tfr -前向恢复时间

Tg -电路换向关断时间

Tgt -栅控电极开启时间

Tj结温度

Tjm -最高结温

开吨时间

关断时间

Tr -上升时间

Trr -反向恢复时间

Ts -存储时间

Tstg -温度补偿二极管的存储温度

A -温度系数

λp-发光的峰值波长

δλ-光谱半宽度

η——单结晶体管的分压比或效率

反向峰值击穿电压

Vc整流输入电压

VB2B1 -基极间电压

VBE10 -发射极和第一基极之间的反向电压

VEB饱和压降

VFM -最大正向压降(正向峰值电压)

VF -正向电压降(正向DC电压)

△VF——正压降差

VDRM -关断状态重复峰值电压

VGT门触发电压

VGD门电压没有被触发。

VGFM -栅极正峰值电压

VGRM -栅极反向峰值电压

VF(av)-正向平均电压

Vo -交流输入电压

VOM -最大输出平均电压

Vop -工作电压

Vn -中心电压

Vp -峰值电压

VR -反向工作电压(反向DC电压)

VRM -反向峰值电压(最高测试电压)

v(br)-击穿电压

Vth -阀电压(mosfet)

VRRM -反向重复峰值电压(反向浪涌电压)

VRWM -峰值工作反向电压

V v -谷电压

Vz稳定电压

△vz——稳压范围内的电压增量

Vs -镇流器的电压对电压(信号电压)或稳定电流电压。

Av -电压温度系数

Vk -拐点电压(稳流二极管)

VL极限电压